连续出片 16.4.3套刻前馈和反馈 16.4.4混合套刻测量和反馈 思考题 引文 第17章线边粗糙度/线宽粗糙度 17.1线边粗糙度/线宽粗糙度概论 17.2线边粗糙度/线宽粗糙度数据分析方法 17.3影响线边粗糙度/线宽粗糙度的因素 17.4线边粗糙度/线宽粗糙度的改善方法 17.5小结 思考题 引文 第18章多重图形技术 18.1背景 18.2光刻?刻蚀、光刻?刻蚀方法 18.3图形的拆分方法——涂色法 18.3.1三角矛盾 18.3.2应用范围 18.4自对准多重图形方法 18.4.1优点和缺点 18.4.2应用范围 18.5套刻的策略和原理 18.6线宽均匀性的计算和分配 思考题 引文 第19章下一代光刻技术 19.1极紫外光刻技术的发展简史 19.2极紫外光刻与193nm浸没式光刻的异同点 19.2.1光刻设备的异同点 19.2.2光刻胶材料的异同点 19.2.3掩模版的异同点 19.2.4光刻工艺的异同点 19.2.5光学邻近效应的异同点 19.3极紫外技术的进展 19.3.1光源的进展 19.3.2光刻胶的现状 19.3.3掩模版保护膜的进展 19.3.4锡滴的供应和循环系统的进展 19.4导向自组装DSA的技术介绍 19.4.1原理介绍 19.4.2类型： 物理限制型外延、化学表面编码型外延 19.4.3缺陷的来源和改进 19.4.4图形设计流程介绍 19.5纳米压印技术介绍 19.6电子束直写技术介绍 思考题 引文 第20章光刻技术发展展望 20.1光刻技术继续发展的几点展望 20.2光刻技术的发展将促进我国相关技术的发展
附录A典型光刻工艺测试图形 附录B光刻工艺建立过程中测试掩模板的绘制 专业词汇索引

高端集成电路制造工艺丛书衍射极限附近的光刻工艺 作者简介

伍强，1993年于复旦大学获物理学学士学位，1999年于耶鲁大学获物理学博士学位。毕业后就职于IBM公司，担任半导体集成电路光刻工艺研发工程师，在研发65nm逻辑光刻工艺时，在世界上首次通过建模精确地测量了光刻工艺的重要参数：等效光酸扩散长度。2004年回国，先后担任光刻工艺研发主管、光刻设备应用部主管，就职于上海华虹NEC电子有限公司、荷兰阿斯麦（ASML）光刻设备制造（中国）有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司、中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司和上海集成电路研发中心。先后研发或带领团队研发0.18 ?m、0.13 ?m、90 nm、65 nm、40 nm、28 nm、20 nm、14 nm、10 nm等逻辑光刻工艺技术和0.11 ?m 动态随机存储器（DRAM）光刻工艺技术，带领设备应用部团队将193 nm浸没式光刻机成功引入中国。截至2019年5月，共获得114项专利授权，其中26项美国专利，单独或带领团队发表光刻技术论文52篇。担任国家“02”重大专项光刻机工程指挥部专家，入选“2018年度上海市优秀技术带头人”计划，2007-2009年 担任ISTC（国际半导体技术大会）光刻分会主席。2010年-2019年担任CSTIC（中国国际半导体技术大会）光刻分会副主席。

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