高端集成电路制造工艺丛书衍射极限附近的光刻工艺 本书特色

为了应对我国在集成电路领域,尤其是光刻技术方面严重落后于发达国家的局面,破解光刻制造设备、材料和光学邻近效应修正软件几乎完全依赖进口的困境,作为从事光刻工艺研发近 20 年的资深研发人员,作 者肩负着协助光刻设备、材料和软件等产业链共同研发和发展的责任,将近 20 年的学习成果和研发经验汇编 成书,建立联系我国集成电路芯片的研发和制造,设备、材料和软件的研发,以及大专院校、科研院所的科学 技术研究、人才培养的一座桥梁。 本书以光刻工艺为主线,有机地将光刻设备、光刻材料、光刻成像的理论计算、光刻工艺中各种建模思想 和推导、芯片制造的技术发展要求以及对光刻工艺各项参数的要求紧密地联系在一起,给读者一个整体的图 景。《衍射极限附近的光刻工艺》可供光刻技术领域科研院所的研究人员、大专院校的教师和学生、集成电路工厂的工程技术人员等 参考。

高端集成电路制造工艺丛书衍射极限附近的光刻工艺 内容简介

为了应对我国在集成电路领域,尤其是光刻技术方面严重落后于发达国家的局面,破解光刻制造设备、材料和光学邻近效应修正软件几乎接近依赖进口的困境,作为从事光刻工艺研发近 20 年的资深研发人员,作者肩负着协助光刻设备、材料和软件等产业链共同研发和发展的责任,将近 20 年的学习成果和研发经验汇编成书,建立联系我国集成电路芯片的研发和制造,设备、材料和软件的研发,以及大专院校、科研院所的科学技术研究、人才培养的一座桥梁。本书以光刻工艺为主线,有机地将光刻设备、光刻材料、光刻成像的理论计算、光刻工艺中各种建模思想和推导、芯片制造的技术发展要求以及对光刻工艺各项参数的要求紧密地联系在一起,给读者一个整体的图景。《衍射极限附近的光刻工艺》可供光刻技术领域科研院所的研究人员、大专院校的教师和学生、集成电路工厂的工程技术人员等参考。

高端集成电路制造工艺丛书衍射极限附近的光刻工艺 目录

高端集成电路制造工艺丛书衍射极限附近的光刻工艺 作者简介

伍强，1993年于复旦大学获物理学学士学位，1999年于耶鲁大学获物理学博士学位。毕业后就职于IBM公司，担任半导体集成电路光刻工艺研发工程师，在研发65nm逻辑光刻工艺时，在世界上首次通过建模精确地测量了光刻工艺的重要参数：等效光酸扩散长度。2004年回国，先后担任光刻工艺研发主管、光刻设备应用部主管，就职于上海华虹NEC电子有限公司、荷兰阿斯麦（ASML）光刻设备制造（中国）有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司、中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司和上海集成电路研发中心。先后研发或带领团队研发0.18 ?m、0.13 ?m、90 nm、65 nm、40 nm、28 nm、20 nm、14 nm、10 nm等逻辑光刻工艺技术和0.11 ?m 动态随机存储器（DRAM）光刻工艺技术，带领设备应用部团队将193 nm浸没式光刻机成功引入中国。截至2019年5月，共获得114项专利授权，其中26项美国专利，单独或带领团队发表光刻技术论文52篇。担任国家“02”重大专项光刻机工程指挥部专家，入选“2018年度上海市优秀技术带头人”计划，2007-2009年 担任ISTC（国际半导体技术大会）光刻分会主席。2010年-2019年担任CSTIC（中国国际半导体技术大会）光刻分会副主席。