高端集成电路制造工艺丛书衍射极限附近的光刻工艺 本书特色

为了应对我国在集成电路领域,尤其是光刻技术方面严重落后于发达国家的局面,破解光刻制造设备、材料和光学邻近效应修正软件几乎完全依赖进口的困境,作为从事光刻工艺研发近 20 年的资深研发人员,作 者肩负着协助光刻设备、材料和软件等产业链共同研发和发展的责任,将近 20 年的学习成果和研发经验汇编 成书,建立联系我国集成电路芯片的研发和制造,设备、材料和软件的研发,以及大专院校、科研院所的科学 技术研究、人才培养的一座桥梁。 本书以光刻工艺为主线,有机地将光刻设备、光刻材料、光刻成像的理论计算、光刻工艺中各种建模思想 和推导、芯片制造的技术发展要求以及对光刻工艺各项参数的要求紧密地联系在一起,给读者一个整体的图 景。《衍射极限附近的光刻工艺》可供光刻技术领域科研院所的研究人员、大专院校的教师和学生、集成电路工厂的工程技术人员等 参考。

高端集成电路制造工艺丛书衍射极限附近的光刻工艺 内容简介

为了应对我国在集成电路领域,尤其是光刻技术方面严重落后于发达国家的局面,破解光刻制造设备、材料和光学邻近效应修正软件几乎接近依赖进口的困境,作为从事光刻工艺研发近 20 年的资深研发人员,作者肩负着协助光刻设备、材料和软件等产业链共同研发和发展的责任,将近 20 年的学习成果和研发经验汇编成书,建立联系我国集成电路芯片的研发和制造,设备、材料和软件的研发,以及大专院校、科研院所的科学技术研究、人才培养的一座桥梁。本书以光刻工艺为主线,有机地将光刻设备、光刻材料、光刻成像的理论计算、光刻工艺中各种建模思想和推导、芯片制造的技术发展要求以及对光刻工艺各项参数的要求紧密地联系在一起,给读者一个整体的图景。《衍射极限附近的光刻工艺》可供光刻技术领域科研院所的研究人员、大专院校的教师和学生、集成电路工厂的工程技术人员等参考。

高端集成电路制造工艺丛书衍射极限附近的光刻工艺 目录

目录
第1章光刻技术引论 1.1集成电路简史 1.2我国集成电路的发展简史(1958年—20世纪90年代) 1.3我国成像镜头的发展简史和我国数码相机的*新成果 1.4光刻机的发展简史和我国光刻机的发展简史 1.5我国光刻胶的发展简史和*新进展 1.6光刻工艺使用的其他设备的发展和我国的发展 1.7光刻工艺的仿真计算发展包括光学邻近效应修正的发展 1.8极紫外光刻的发展和导向自组装的发展 结语 引文 第2章光刻工艺概览 2.1光刻的整体技术要点 2.2光刻工艺的流程 2.2.1**步： 气体硅片表面预处理 2.2.2第二步： 旋涂光刻胶，抗反射层 2.2.3第三步： 曝光前烘焙 2.2.4第四步： 对准和曝光 2.2.5第五步： 曝光后烘焙 2.2.6第六步： 显影和冲洗 2.2.7第七步： 显影后烘焙，坚膜烘焙 2.2.8第八步： 测量 2.3光刻工艺使用的设备 2.3.1光刻机 2.3.2涂胶?显影一体机 2.4光刻工艺使用的材料： 光刻胶、抗反射层、填隙材料 2.5光刻工艺的一整套建立方法，包括确定各种膜厚、照明条件、工艺窗口等 思考题 引文 第3章光学成像原理及分辨率 3.1光学成像原理 3.2分辨率的定义： 瑞利判据、全宽半高定义 3.3部分相干光的成像理论： 照明条件中的部分相干性 3.4光学照明系统的结构和功能： 科勒照明方式 3.5光学成像的傅里叶变换 思考题 引文
第4章光刻胶 4.1光刻材料综述 4.1.1光刻胶 4.1.2溶剂 4.1.3光刻胶的生产流程 4.1.4抗反射层 4.1.5显影液和清洗液 4.1.6剥离剂和清除剂 4.2负性光刻胶(光刻胶树脂、负性光刻胶类型、交联化学原理) 4.2.1负性光刻胶原理 4.2.2负性光刻胶类型 4.3非化学放大型正性光刻胶——紫外436nm、365nm光刻胶 4.3.1非化学放大型正性光刻胶——重氮萘醌?酚醛树脂
光刻胶 4.3.2重氮萘醌?酚醛树脂类型光刻胶体系的主要组成成分 4.4化学放大型的正性光刻胶——深紫外248nm、193nm光刻胶 4.4.1对更短波长深紫外光刻胶的需求 4.4.2化学放大的原理 4.4.3基于聚羟基苯乙烯及其衍生物的248nm光刻胶 4.4.4以聚甲基丙烯酸酯为主的193nm光刻胶 4.4.5193nm浸没式光刻胶 4.4.6正性负显影光刻胶 4.5极紫外光刻胶 4.5.1基于断链作用的非化学放大光刻胶 4.5.2聚合物型化学放大光刻胶 4.5.3正性极紫外化学放大光刻胶 4.5.4负性有机小分子型光刻胶 4.5.5正性有机小分子型光刻胶 4.5.6基于无机物的新型光刻胶 4.6光刻胶的分辨率?线边粗糙度?曝光灵敏度极限 4.7辐射化学与光化学概述 4.7.1辐射作用 4.7.2激发态复合物 4.7.3能量转移 4.7.4光谱增感 4.7.5光化学与辐射化学 4.7.6辐射化学量子产率 4.7.7辐射曝光敏感度 4.7.8辐射与光刻胶材料相互作用机理 4.8描述光刻胶物理特性的基本参数 4.8.1迪尔参数 4.8.2光酸扩散长度和系数 4.8.3光刻胶显影液中溶解率对比度 思考题 引文 第5章抗反射层 5.1抗反射层和反射率控制 5.2抗反射层种类 5.2.1顶部抗反射层 5.2.2底部抗反射层 5.3有机、无机底部抗反射层对比 5.4底部抗反射层?光刻胶相互作用 5.5含硅的抗反射层 5.6用于极紫外光刻的底部增感层 思考题 引文 第6章光刻机 6.1引言 6.2成像镜头的发展和像差消除原理 6.2.1单片凸透镜的像差分析(三阶塞得像差) 6.2.23片3组柯克镜头的成像和像差分析 6.2.34片3组天塞镜头的成像和像差分析 6.2.46片4组双高斯镜头的成像和像差分析 6.3像差的种类和表征 6.3.1球差、彗差、像散、场曲、畸变、轴向色差、横向色差 6.3.2镜头像差的分摊原理： 6片4组镜头像差分析 6.4齐明点和零像差设计 6.5大数值孔径光刻机镜头的介绍 6.5.1蔡司0.93NA、193nm深紫外投影物镜的成像和像差分析、结构分析 6.5.2蔡司1.35NA、193nm水浸没式折反深紫外投影物镜的成像和像差分析、

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