压电电子学与压电光电子学 本书特色

　　《压电电子学与压电光电子学》压电电子学和压电光电子学的基本概念和原理由王中林教授研究组分别于2007年和2010年首次提出。在人机界面、主动式传感器、主动式柔性电子学、微型机器人、智能电子签名、智能微纳机电系统以及能源技术等领域中，压电电子学和压电光电子学具有广阔的应用前景。本书介绍压电电子学和压电光电子学的物理原理、基本理论以及基本器件单元的设计、制造、测试和应用；共分11章，包括压电电子学和压电光电子学导论、纤锌矿结构半导体材料中的压电势、压电电子学基本理论、压电电子学晶体管、压电电子学逻辑电路及运算操作、压电电子学机电存储器、压电光电子学理论、压电光电子学效应在光电池中的应用、压电光电子学效应在光电探测器中的应用、压电光电子学效应对发光二极管的影响、压电光电子学效应在电化学过程和能源存储中的应用等内容。《压电电子学与压电光电子学》是一部系统性强、深入浅出、图文并茂的专业著作，可供相关领域的科研工作者参考使用，同时也可以用作高年级本科生和研究生专业课程的教科书。

压电电子学与压电光电子学 内容简介

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压电电子学与压电光电子学 目录

《纳内科学与技术》丛书序
前言
第1章压电龟子学和压电光电子学导论
1.1以多样性和多功能性超越摩尔定律
1.2人机交互界面
1.3压电电子学和压电光电子学的物理基础：压电势
1.4压电电子学领域的创立
1.5压电电子学效应
1.5.1压电电子学效应对金属一半导体接触的作用
1.5.2压电电子学效应对p—n结的作用
1.6压电光电子学效应
1.7适用于压电电子学研究的一维纤锌矿纳米结构
1.8展望
参考文献
第2章纤锌矿结构半导体材料中的压电势
2.1支配方程
2.2前三阶微扰理论
2.3垂直纳米线的解析解
2.4横向弯曲纳米线的压电势
2.5横向弯曲纳米线的压电电势测量
2.6轴向应变纳米线内的压电势
2.7掺杂半导体纳米线中的平衡电势
2.7.1理论框架
2.7.2考虑掺杂情况时压电势的计算
2.7.3掺杂浓度的影响
2.7.4载流子类型的影响
2.8压电势对局域接触特性的影响
2.8.1理论分析
2.8.2实验验证
2.9电流传输的底端传输模型
参考文献
第3章压电电子学基本理论
3.1压电电子学晶体管与传统场效应晶体管的比较
3.2压电势对金属—半导体接触的影响
3.3压电势对p—n结的影响
3.4压电电子学效应的理论框架
3.5一维简化模型的解析解
3.5.i压电p—n结
3.5.2金属—半导体接触
3.5.3金属—纤锌矿结构半导体接触
3.6压电电子学器件的数值模拟
3.6.1压电p—n结
3.6.2压电晶体管
3.7总结
参考文献
第4章压电电子学晶体管
4.1压电电子学应变传感器
4.1.1传感器的制备和测量
4.1.2压电纳米线内应变的计算
4.1.3传感器的机电特性表征
4.1.4应用热电子发射一扩散理论的数据分析
4.1.5压阻和压电效应效果的区分
4.1.6压电电子学效应引起的应变系数剧增
4.2压电二极管
4.2.1压电电子学效应引起的欧姆接触到肖特基接触的转变
4.2.2肖特基势垒变化的定量分析
4.2.3压电电子学二极管工作机制
4.2.4压电电子学机电开关
4.3基于垂直纳米线的压电晶体管
4.3.1反向偏置接触
4.3.2正向偏置接触
4.3.3两端口压电电子学晶体管器件
4.4总结
参考文献
第5章压电电子学逻辑电路及运算操作
5.1应变门控晶体管
5.1.1器件制备
5.1.2基本原理
5.2应变门控反相器
5.3压电电子学逻辑运算
5.3.1与非门和或非门（nand和nor）
5.3.2异或门（xor）
5.4总结
参考文献
第6章压电电子学机电存储器
6.1器件制备
6.2机电存储器原理
6.3温度对存储器性能的影响
6.4机电存储器中的压电电子学效应
6.5可复写的机电存储器
6.6总结
参考文献
第7章压电光电子学理论
7.1压电光电子学效应的理论框架
7.2压电光电子学效应对发光二极管的影响
7.2.1压电发光二极管简化模型的解析解
7.2.2压电p—n结发光二极管器件的数值模拟
7.3压电光电子学效应对光电传感器的影响
7.3.1正偏肖特基接触的电流密度
7.3.2反偏肖特基接触的电流密度
7.3.3光激发模型
7.3.4压电电荷和压电势方程
7.3.5压电光电子学效应对双肖特基接触结构的影响
7.3.6金属—半导体—金属光电探测器的数值模拟
7.4压电光电子学效应对太阳能电池的影响
7.4.1基本方程
7.4.2基于p—n结的压电太阳能电池
7.4.3金属—半导体肖特基接触型太阳能电池
7.5总结
参考文献

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