7.5.2在表面上的平衡
7.6习题

第8章分子碰撞
8.1引言
8.2分子结构
8.2.1分子的振动和转动能级
8.2.2光学辐射
8.2.3负离子
8.3电子-分子碰撞反应
8.3.1分解
8.3.2分解电离
8.3.3分解复合
8.3.4氢分子的例子
8.3.5分解电子吸附
8.3.6极化分解
8.3.7亚稳态负离子
8.3.8电子碰撞解离
8.3.9振动和转动激发
8.3.10弹性散射
8.4重粒子之间的碰撞
8.4.1共振电荷转移和非共振电荷转移
8.4.2正负离子复合
8.4.3复合解离
8.4.4激发转移
8.4.5化学键重排
8.4.6离子-中性粒子弹性散射
8.4.7三体过程
8.5反应速率和细致平衡
8.5.1温度的影响
8.5.2细致平衡原理
8.5.3氧的一组数据
8.6发射光谱法和光学借标测定
8.6.1发射光谱法
8.6.2光学借标测定
8.6.3氧原子的光学借标测定
8.7习题

第9章化学动力学与表面过程
9.1基元反应
9.1.1平衡常数之间的关系
9.2气相动力学
9.2.1一级连串反应
9.2.2可逆反应
9.2.3有光子发射的双分子化合反应
9.2.4三体化合反应
9.2.5三体正负离子复合反应
9.2.6三体电子-离子复合反应
9.3表面过程
9.3.1正离子中和反应和二次电子发射
9.3.2吸附和解吸附
9.3.3裂解
9.3.4溅射过程
9.4表面动力学
9.4.1中性粒子的扩散
9.4.2扩散损失率
9.4.3吸附和解吸附
9.4.4分解吸附和复合解吸附
9.4.5物理吸附
9.4.6与表面的反应
9.4.7在表面上的反应
9.4.8表面动力学和损失概率
9.5习题

第10章放电过程中的粒子平衡和能量平衡
10.1引言
10.2电正性等离子体平衡态分析
10.2.1基本性质
10.2.2均匀密度的放电模型
10.2.3非均匀放电模型
10.2.4中性自由基的产生和损失
10.3电负性等离子体平衡态分析
10.3.1微分方程
10.3.2负离子的玻尔兹曼平衡
10.3.3守恒方程
10.3.4简化方程的有效性
10.4电负性等离子体的近似平衡分析
10.4.1整体模型
10.4.2低气压下的抛物线分布近似
10.4.3高气压下的平顶模型
10.5电负性等离子体放电实验和数值模拟
10.5.1氧气放电
10.5.2氯气放电
10.6脉冲放电
10.6.1电正性气体的脉冲放电
10.6.2电负性气体的脉冲放电
10.6.3中性基团动力学过程
10.7习题

第11章容性放电
11.1均匀放电模型
11.1.1主等离子体区导纳
11.1.2鞘层导纳
11.1.3粒子平衡与能量平衡
11.1.4放电参数
11.2非均匀放电模型
11.2.1无碰撞鞘层动力学
11.2.2蔡尔德定律
11.2.3鞘层电容
11.2.4欧姆加热
11.2.5随机加热
11.2.6自洽模型方程
11.2.7标度关系
11.2.8碰撞鞘层
11.2.9低电压和中等电压鞘层情况
11.2.10鞘层中的欧姆加热
11.2.11自洽的无碰撞加热模型
11.2.12双频和高频放电
11.2.13电负性等离子体
11.3实验与数值模拟
11.3.1实验结果
11.3.2PIC数值模拟
11.3.3二次电子的作用
11.3.4模型的意义
11.4非对称放电
11.4.1电容分压器模型
11.4.2球壳模型
11.5低频时的射频鞘层
11.6电极处的离子轰击能量
11.7磁增强的气体放电
11.8匹配网络和功率测量
11.8.1匹配网络
11.8.2功率测量
11.9习题

第12章感性放电
12.1高密度、低气压等离子体
12.1.1感性等离子体源的结构
12.1.2功率吸收与工作参数状态
12.1.3放电工作状态与耦合
12.1.4匹配网络
12.2其他工作状态
12.2.1低密度下的工作状态
12.2.2容性耦合
12.2.3滞回现象和不稳定性
12.2.4功率转移效率
12.2.5精确解
12.3盘香形线圈等离子体源
12.4螺旋共振器放电
12.5习题

第13章波加热的气体放电
13.1电子回旋共振等离子体
13.1.1特性和结构
13.1.2电子加热
13.1.3波的共振吸收
13.1.4模型和数值模拟
13.1.5等离子体膨胀
13.1.6测量
13.2螺旋波放电
13.2.1螺旋波模式
13.2.2天线耦合
13.2.3螺旋波吸收模式
13.2.4中性气体贫化
13.3表面波放电
13.3.1平面型表面波
13.3.2圆柱形表面波
13.3.3功率平衡
13.4习题

第14章直流放电
14.1辉光放电的定性描述
14.1.1正柱区
14.1.2阴极鞘层
14.1.3负辉光区和法拉第暗区
14.1.4阳极位降
14.1.5其他的放电特征
14.1.6溅射和其他放电构形
14.2正柱区分析
14.2.1电子温度Te的计算
14.2.2E和n0的计算
14.2.3动理学效应
14.3阴极鞘层分析
14.3.1真空击穿
14.3.2阴极鞘层
14.3.3负辉区和法拉第暗区
14.4中空阴极管放电
14.4.1简单放电模型
14.4.2在中空阴极管放电中的金属气化产物
14.5平面磁控放电
14.5.1辉光放电溅射源的缺陷
14.5.2磁控放电结构
14.5.3放电模型
14.6电离物理气相沉积
14.7习题

第15章刻蚀
15.1刻蚀的工艺指标和工艺过程
15.1.1等离子体刻蚀的工艺指标
15.1.2刻蚀工艺过程
15.2刻蚀反应动力学
15.2.1表面动力学过程
15.2.2放电动力学和负载效应
15.2.3化学反应框架
15.3用卤素原子刻蚀硅
15.3.1氟原子产生的纯化学刻蚀
15.3.2离子能量驱动的氟原子刻蚀
15.3.3CF4放电
15.3.4在原料气体中添加O2和H2
15.3.5氯原子刻蚀
15.4其他刻蚀系统
15.4.1用F和CFx刻蚀二氧化硅
15.4.2Si3N4的刻蚀
15.4.3铝的刻蚀
15.4.4铜的刻蚀
15.4.5光刻胶的刻蚀
15.5基片上的电荷积累
15.5.1门氧化层的损坏
15.5.2接地的基片
15.5.3不均匀的等离子体
15.5.4刻蚀中的瞬时损伤

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