纳米级集成电路系统电源完整性分析

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纳米级集成电路系统电源完整性分析

纳米级集成电路系统电源完整性分析

作者:桥本正德

开 本:32开

书号ISBN:9787111569879

定价:125.0

出版时间:2017-09-01

出版社:机械工业


XiangHu:目前是高通公司功率完整性工程师,2010年到2013年是美国博通公司ASIC后端工程师。2012年获得圣地亚哥加利福尼亚大学计算机工程博士学位。主要研究方向包括功率分配网络的分析与优化。主要参与本书第5、6章的编写。
RajNair:本书共同编辑,主要参与第1、3和8章的编写。
MizuhisaNihei:分别于1990、1992和2006年获得日本仙台东北大学电气工程工学学士、工程硕士和博士学位。从1992年开始,在日本厚木富士通实验室工作。目前,在厚木国家先进工业科学和技术国家研究所从事石墨烯互连和热管理工艺研究。主要参与本书第10章的编写。
YasuhiroOgasahara:2008年获得日本坂田大学信息系统工程博士学位。目前在日本国家先进工业科学和技术国家研究所从事纳米电子学研究,主要从事新器件的电子集成研究工作。Ogasahara博士获得2008年ASP-DAC大学的大规模集成电路设计竞赛特别功能奖,是IEEE和IEICE成员。参与本书第3章的编写。
AmiraliShayan:2005年获得伊朗德黑兰大学电气工程学士学位,分别于2008年和2011年获得圣地亚哥加利福尼亚大学计算机工程硕士和博士学位。目前是圣地亚哥博通公司低功耗实现项目组成员,他的研究方向包括低功耗实现、管理和分配。主要参与本书第5、6章编写。
HowardH?Smith:分别于1984年和1985年获得新西兰理工学院学士和硕士学位,1984年加入IBM,从事从封装电气设计和计算机体系分析到新处理器的片上信号和电源完整性分析工作,Smith先生目前是波基普西市IBM公司系统和工艺组传感器工程师,同时作为项目组长负责高集成度CMOS电路和芯片工艺电气分析工作。主要负责本书第9章的编写工作。
NavinSrivastava:在印度理工大学获得技术学士学位,加利福尼亚大学硕士和博士学位。在俄勒冈州威尔逊维尔MentorGraphics公司工作期间主要从事VLSI寄生参数提取和互连模型工作,他在超过25个高引用率的顶 级期刊发表论文并担任多个会议论文的审稿人。负责本书第10章的编写。
ToshioSudo:分别于1973、1975和2006年获得日本东北大学学士、硕士和博士学位。在1975年加入日本东芝公司,主要从事MCM工艺研究和发展,微处理器封装,高速信号完整性设计,功率完整性设计和CMOS大规模集成系统EMC设计工作。在2007年成为日本芝浦工业大学教授,在2004年成为IEEE会员。主要负责本书第4章的编写。

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