固态电子器件-(第七版) 本书特色

本书是固态电子器件的教材，全书分为固体物理基础和半导体器件物理两大部分，共10章。第1章至第4章介绍半导体材料及其生长技术、量子力学基础、半导体能带以及过剩载流子。第5章至第10章介绍各种电子器件和集成电路的结构、工作原理以及制造工艺等，包括：p-n结、金属-半导体结、异质结；场效应晶体管；双极结型晶体管；光电子器件；高频、大功率及纳电子器件。第9章使用较大篇幅介绍CMOS制造工艺，从器件物理角度介绍SRAM、DRAM、CCD、闪存等集成器件的结构和工作原理。本书的器件种类基本涵盖了所有的器件大类，反映了现代电子器件的基础理论、工作原理、二级效应以及发展趋势。各章均给出小结，并附有习题、参考读物和自测题。

固态电子器件-(第七版) 内容简介

本书反映了现代电子器件的基础理论、工作原理、二级效应以及发展趋势。各章均给出小结，并附有习题、参考读物和自测题。

固态电子器件-(第七版) 目录

目 录
第1章 晶体性质和半导体生长 1
1.1 半导体材料 1
1.2 晶格 2
1.2.1 周期结构 2
1.2.2 立方晶格 4
1.2.3 晶面与晶向 5
1.2.4 金刚石晶格 7
1.3 大块晶体生长 9
1.3.1 原材料的制备 9
1.3.2 单晶的生长 9
1.3.3 晶片加工 11
1.3.4 晶体掺杂 11
1.4 薄层晶体的外延生长 12
1.4.1 外延生长的晶格匹配 13
1.4.2 气相外延 14
1.4.3 分子束外延 16
1.5 周期性结构中波的传播 17
小结 18
习题 19
参考读物 20
自测题 20
第2章 原子和电子 22
2.1 关于物理模型 22
2.2 重要实验及其结果 23
2.2.1 光电效应 23
2.2.2 原子光谱 25
2.3 玻尔模型 26
2.4 量子力学基础知识 28
2.4.1 几率和不确定性原理 29
2.4.2 薛定谔波动方程 30
2.4.3 势阱问题 32
2.4.4 量子隧穿 33
2.5 原子结构和元素周期表 34
2.5.1 氢原子 34
2.5.2 元素周期表 36
小结 39
习题 40
参考读物 41
自测题 41
第3章 半导体的能带和载流子 43
3.1 固体结合性质与能带 43
3.1.1 固体的结合性质 43
3.1.2 能带 45
3.1.3 金属、半导体和绝缘体 47
3.1.4 直接禁带半导体和间接禁带半导体 48
3.1.5 化合物半导体能带结构随组分的变化 49
3.2 半导体中的载流子 50
3.2.1 电子和空穴 51
3.2.2 有效质量 54
3.2.3 本征半导体 56
3.2.4 非本征半导体 57
3.2.5 量子阱中的电子和空穴 60
3.3 载流子浓度 60
3.3.1 费米能级 61
3.3.2 平衡态电子和空穴浓度 62
3.3.3 载流子浓度对温度的依赖关系 66
3.3.4 杂质补偿和空间电荷中性 67
3.4 载流子在电场和磁场中的运动 68
3.4.1 电导率和迁移率 68
3.4.2 电阻率 71
3.4.3 迁移率对温度和掺杂浓度的依赖关系 72
3.4.4 高场效应 74
3.4.5 霍尔效应 74
3.5 平衡态费米能级的不变性 76
小结 77
习题 78
参考读物 80
自测题 81
第4章 半导体中的过剩载流子 83
4.1 半导体对光的吸收特性 83
4.2 半导体发光 85
4.2.1 光致发光 85
4.2.2 电致发光 87
4.3 载流子寿命和光电导 87
4.3.1 电子和空穴的直接复合 87
4.3.2 间接复合；载流子俘获 89
4.3.3 稳态载流子浓度；准费米能级 91
4.3.4 光电导 93
4.4 载流子在半导体中的扩散 93
4.4.1 扩散机制 94
4.4.2 载流子的扩散和漂移；自建电场 96
4.4.3 扩散和复合；连续性方程 98
4.4.4 稳态注入；扩散长度 99
4.4.5 Haynes-Shockley实验 101
4.4.6 准费米能级的空间梯度 103
小结 104
习题 104
参考读物 107
自测题 107
第5章 半导体p-n结和金属-半导体结 109
5.1 p-n结的制造 109
5.1.1 热氧化 109
5.1.2 扩散 111
5.1.3 快速热处理 112
5.1.4 离子注入 113
5.1.5 化学气相淀积 114
5.1.6 光刻 115
5.1.7 腐蚀(刻蚀) 117
5.1.8 金属化 118
5.2 平衡态p-n结 120
5.2.1 接触电势 120
5.2.2 平衡态费米能级 123
5.2.3 结的空间电荷 124
5.3 结的正偏和反偏；稳态特性 127
5.3.1 结电流的定性分析 127
5.3.2 载流子的注入 130
5.3.3 反向偏置 136
5.4 反向击穿 138
5.4.1 齐纳击穿 139
5.4.2 雪崩击穿 140
5.4.3 整流二极管 142
5.4.4 击穿二极管 144
5.5 瞬态特性和交流特性 144
5.5.1 存储电荷的瞬态变化 145
5.5.2 反向恢复过程 147
5.5.3 开关二极管 149
5.5.4 p-n结电容 149
5.5.5 变容二极管 152

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