6.4单粒子闩锁测试

6.4.1单个粒子诱发闩锁测试

6.4.2脉冲激光诱发闩锁测试

6.5单粒子闩锁加固策略有效性

6.6本章小结

参考文献

第7章辐射加固器件的SPICE模型

7.1环栅版图晶体管介绍

7.2环栅版图晶体管建模技术

7.2.1宽长比

7.2.2输出电阻

7.2.3电容

7.2.4仿真方法

7.3实验结果及讨论

7.3.1矩形晶体管比较

7.3.2环栅版图晶体管比较

7.3.3梯形晶体管比较

7.4其他加固器件的建模

7.5本章小结

参考文献

第8章抗辐射单元库设计

8.1组合逻辑加固

8.1.1单粒子闩锁加固

8.1.2总剂量加固

8.1.3总体加固影响

8.2组合单元优化

8.2.1晶体管尺寸的限制

8.2.2手动布局改进

8.2.3自动布局布线改进

8.3触发器加固

8.3.1传统时间冗余加固

8.3.2传统三模冗余加固

8.3.3高速三模冗余加固

8.3.4功耗和延迟比较

8.3.5辐射测试

8.4存储器单元加固

8.4.16管存储单元

8.4.2HIT存储单元

8.4.3DICE存储单元

8.4.410管存储单元

8.4.5几种抗辐射加固单元的性能对比

8.5单元库参数提取

8.5.1抽象生成

8.5.2单元提取

8.5.3单元库特性

8.5.4单元库文件提取实例

8.6本章小结

参考文献

第9章自动综合的抗辐射数字电路设计

9.1自定义CAD工具

9.2综合

9.3布局

9.4三模冗余

9.4.1布图规划解析

9.4.2网表解析

9.4.3布局解析

9.5布线

9.6时序分析和验证

9.7片外逻辑接口

9.8片上逻辑接口

9.9芯片接口实例

9.9.1双模冗余接口

9.9.2高速缓存接口

9.10双模冗余嵌入式处理器设计实例

9.11本章小结

参考文献

第10章模拟和混合信号电路加固设计

10.1模拟和混合信号电路的单粒子效应

10.1.1单粒子机制

10.1.2模拟单粒子瞬态

10.1.3运算放大器的单粒子效应

10.2偏置相关的单粒子效应模型

10.3电荷共享加固设计方法

10.3.1差分电荷消除版图

10.3.2敏感节点有源电荷消除

10.4节点分裂加固设计方法

10.4.1开关电容电路加固方法

10.4.2运算放大器加固方法

10.5本章小结

参考文献

第11章集成电路辐射效应仿真

11.1单粒子效应建模和仿真问题

11.1.1器件级建模方法

11.1.2电路级建模方法

11.1.3蒙特卡罗仿真工具

11.2单粒子效应仿真实例

11.2.1设计仿真电路模型

11.2.2SRAM三维建模： Gds2Mesh

11.2.3查看结果

11.3总剂量效应仿真

11.3.1概述

11.3.2方法

11.4位移损伤仿真

11.5本章小结

参考文献

第12章单粒子效应的脉冲激光测试原理

12.1概述

12.2激光测试技术基础

12.2.1激光测试技术的分类

12.2.2激光产生率建模

12.2.3激光与重离子产生率的对比

12.3用于集成电路测试的脉冲激光系统

12.3.1激光测试的基本原理

12.3.2实验平台

12.3.3自动化测试

12.3.4其他系统

12.4激光系统的应用举例

12.4.1单粒子翻转激光截面

12.4.2商业SRAM芯片的激光测试方法

12.4.3双光子吸收诱发载流子的激光单粒子效应测试

12.5本章小结

参考文献

第13章辐射加固保障测试

13.1实验室辐射源

13.1.1总剂量辐射源

13.1.2单粒子效应粒子加速器

13.1.3辐射源的选择

13.2总剂量辐射加固保障测试

13.2.1总剂量辐射加固保障测试方法

13.2.2剂量率增强效应

13.2.3辐射前升温应力(老化)效应

13.2.4辐射保障测试的*佳实验室源

13.2.5*坏情况偏置

13.2.6测试温度的影响

13.3单粒子效应辐射加固保障测试

13.3.1简介

13.3.2单粒子翻转

13.3.3单粒子闩锁

13.3.4单粒子烧毁和单粒子栅穿

13.4本章小结

参考文献

附录A

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