9.2 内部电路的设计规则
9.2.1 抑制瞬态激励
9.2.2 防止自身寄生双极型晶体管开启
9.3 小结
参考文献
第10章 闩锁效应的实例分析
10.1 器件之间的闩锁效应
10.1.1 输出电路18V PMOS与18V NMOS之间的闩锁效应
10.1.2 内部电路5V PMOS与5V NMOS之间的闩锁效应
10.1.3 电源保护电路13.5V P- diode与13.5V NMOS之间的闩锁效应
10.2 器件与阱之间的闩锁效应
10.3 闩锁效应测试击毁Poly电阻
10.4 小结
第11章 寄生器件的ESD应用
11.1 寄生NPN的ESD应用
11.1.1 NMOS寄生NPN
11.1.2 寄生NPN非均匀导通问题
11.1.3 GTNMOS电源钳位保护电路
11.1.4 STNMOS电源钳位保护电路
11.2 寄生PNPN的ESD应用
11.2.1 CMOS寄生PNPN
11.2.2 寄生PNPN电源钳位ESD保护电路
11.2.3 PNPN结构的设计规则
11.3 小结
总结

CMOS集成电路闩锁效应 作者简介

温德通，ESD设计工程师，毕业于西安电子科技大学科技大学微电子学院，从事集成电路工艺制程整合，器件、闩锁效应和ESD电路设计方向工作十余年。目前已出版图书《集成电路制造工艺与工程应用》和《CMOS集成电路闩锁效应》。

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